协会动态

        2月27日，由湖南德智新材料有限公司研发的“高纯度长寿命硅外延用SiC系列零部件”项目科技成果评价会在长沙举行。评价会由长沙市先进电池材料及电池产业技术创新战略联盟秘书长朱爱平主持，中南大学黄启忠教授、国防科大肖加余教授、湖南大学谭瑞轩教授、中南大学苏哲安教授，功率半导体行业联盟舒丽辉高级工程师组成项目评价组，湖南德智新材料有限公司副总经理余盛杰，研发中心总监廖家豪博士等参加会议。   

评审会现场

        德智新材研发中心总监廖家豪博士从项目背景、进展情况、技术创新、检验检测、产品市场等方面进行项目详细汇报，随后，专家组成员分别进行质疑，与项目团队进行了深入交流，独立讨论后形成结论意见。

        长沙先进电池联盟将继续为企业做好科技成果转化和评价服务。

合 影

        延伸阅读：

        湖南德智新材料有限公司拥有自主研发的生产设备，具备石墨纯化、精密加工、精密检测、CVD涂层等完整的生产制造链，在SiC涂层石墨工件设计、加工及CVD工艺等方面具有核心专利技术和竞争优势。在CVD工艺上，德智新材自主研发沉积设备，并具备从学术到量产的多年工艺积累，拥有对产品应用场景的深刻理解、及灵活定制的材料设计制造能力。目前，德智新材已开发LED外延设备用组件、三代半外延设备用组件、硅基外延设备用组件、SiC刻蚀环、SiC晶舟等一系列半导体用SiC部件制品。德智的产品性能、评价指标全国领先，媲美国外领先厂商水平。其中，德智新材在12寸大硅片外延用SiC涂层石墨盘、实体SiC刻蚀环产品实现技术突破，成为国内极少具备量产能力的领先企业。

        SiC涂层石墨部件具有优异的抗热震、抗氧化、抗气流冲刷、低气体渗透性、耐酸碱性能，与石墨材料具有良好的化学及机械相容性，在高于1200℃时仍然能够稳定存在。因此，在半导体材料的外延过程中，SiC涂层可保护石墨基座盘基体材料，提高性能，净化外延生长环境，延长石墨部件的使用寿命，在半导体芯片制程中，硅片制造、外延生长、刻蚀、离子注入及氧化扩散等工序中大量使用到石墨与SiC部件。

        SiC涂层石墨产品及实体SiC刻蚀环产品是芯片制造领域的关键耗材，SiC制品的国产化解决半导体设备上游零部件供应链安全问题，满足国家高端装备制造业转型升级需要，具有重大战略意义。